ООО «Сигм плюс» — сайт siplus.ru

Технологии

• analytics: Yandex Metrica, Yandex Webvisor

О сайте

Title: ООО "Сигм плюс"

Description: ООО Сигм плюс - главная страница

---

[eng](/eng/ "Switch to English")

- [ООО "Сигм плюс"](index.php?id=1)

НОВОСТИ

14-08-2019

Новый класс гетероструктур AlGaAs/GaAs

выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Читайте статью в журнале Crystals v.9, 2019

[Подробнее](index.php?nid=156)

21-07-2019

XIV Российская конференция по физике полупроводников в сентябре

Наши коллеги примут участие в конференции и представят ряд докладов

[Подробнее](index.php?nid=158)

23-06-2019

Сравнительный анализ квантовых ям GaAs/GaInP и GaAs/AlGaAs

полученных в условиях МОС-гидридной эпитаксии. Читайте в журнале «Неорганические материалы», том 55, №4, 2019

[Подробнее](index.php?nid=155)

22-05-2019

«Сигм плюс» на 18-м европейском семинаре EW-MOVPE 2019, Литва

Наши специалисты примут участие в международном семинаре по газо-фазной эпитаксии EW-MOVPE, которая пройдет в Вильнюсе с 16 по 19 июня

[Подробнее](index.php?nid=154)

28-04-2019

"Сигм плюс" и CS Clean Solutions AG приглашают на выставку SEMIEXPO

Выставка пройдет 14-15 мая в Экспоцентре на Красной Пресне, Павильон 7. Встречаемся на стенде В12

[Подробнее](index.php?nid=153)

04-03-2019

EpiX - модульная система исследования полупроводниковых пластин

Система 2D картирования пластин EpiX для научно-исследовательских разработок в области полупроводниковой эпитаксии

[Подробнее](index.php?nid=152)

14-02-2019

XXIII международный симпозиум «Нанофизика и наноэлектроника» в марте

Наши коллеги примут участие в работе симпозиума и представят свои результаты

[Подробнее](index.php?nid=151)

24-01-2019

Оценка условий труда по ФЗ № 426

Компания "Сигм плюс" провела обязательную оценку условий труда рабочих мест

[Подробнее](index.php?nid=149)

[Все новости](index.php?allnid&nid)

| | | | --- | --- | | О компании | | | История Компания "Сигм плюс" создана в 1991г. как коллектив специалистов в области производства полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур методом МОС-гидридной (MOCVD) эпитаксии. Это время прихода в упадок отечественной микроэлектроники и оптоэлектроники в частности. Необходимо было решать не только технологические задачи создания новых эпитаксиальных структур, но и постоянно совершенствовать аппаратное оформление, в те годы еще молодого и бурно развивающегося метода МОСГЭ (MOCVD). В первую очередь хотелось сохранить тот технологический опыт, который нарабатывался годами, и не отстать от зарубежных фирм, ведущих разработки в этой области. Этим объяс…